東坑熱處理技術(shù)的發(fā)展非常迅速,現(xiàn)在不僅直徑200~300毫米硅片工藝線已離不開快速熱處理技術(shù),而且還開發(fā)了快速加熱鍺硅外延系統(tǒng)。由于鍺硅/硅異質(zhì)結(jié)薄膜材料是新一代的硅基材料,該材料制作的高性能異質(zhì)結(jié)晶體管(HBT)可替代移動通訊領(lǐng)域GaAs微波功率器件,具有廣闊的應(yīng)用前景。
東坑熱處理在國家自然科學(xué)基金和“九五”重點科技攻關(guān)計劃的資助下,科研人員又利用RHT技術(shù)開發(fā)成功“紅外快速加熱高真空鍺硅化學(xué)氣相外延系統(tǒng)”。該系統(tǒng)在總體結(jié)構(gòu)設(shè)計上采用內(nèi)外腔、石英方腔生長室及石墨加熱器,在國際上屬獨創(chuàng),達到世界先進水平。
東坑熱處理要抓住機遇,通過市場機制,引入風(fēng)險投資,開發(fā)新的RHT設(shè)備,爭創(chuàng)民族品牌,使RHT技術(shù)與設(shè)備不僅占領(lǐng)國內(nèi)市場,而且出口到國際市場,為國家爭光,為民族爭氣。